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SIHG22N60E-GE3
制造商编号
SIHG22N60E-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
说明
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-247AC-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
21 A
Rds On-漏源导通电阻:
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
4 V
Qg-栅极电荷:
57 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
227 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
高度:
20.82 mm
长度:
15.87 mm
系列:
E
宽度:
5.31 mm
商标:
Vishay / Siliconix
下降时间:
35 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
27 ns
工厂包装数量:
500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
66 ns
典型接通延迟时间:
18 ns
单位重量:
38 g
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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
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