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IRF530NPBF
制造商编号
IRF530NPBF
制造商
Infineon Technologies
说明
MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
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制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
17 A
Rds On-漏源导通电阻:
90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
24.7 nC
Pd-功率耗散:
79 W
配置:
Single
封装:
Tube
高度:
15.65 mm
长度:
10 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
4.4 mm
商标:
Infineon Technologies
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
SP001570120
单位重量:
6 g
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数据表
IRF530NPBF 数据表
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Application Notes
Application Note Linear Mode Operation and SOA Power MOSFETs
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Application Note Some key facts about avalanche
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Buck converters negative spike at phase node
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MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis
邮政
MOSFET OptiMOS™ datasheet explanation
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MOSFET OptiMOS™ optimum selection for synchronous rectification
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MOSFET OptiMOS™ selection for DC-DC converters
PDF
Models
Saber Model - IRF530N
CAD
PCN
Information Note
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Process Change Notification
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Process change notification
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Process Change Notification
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Product Change Notification
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Product Change Notification
PDF
Product Catalogs
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Combined portfolio MOSFET OptiMOS™ and StrongIRFET™
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SPICE Models
Spice Model - IRF530N
其它
显示所有
显示更少
产品合规性
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
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