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FQB27P06TM
制造商编号
FQB27P06TM
制造商
ON Semiconductor / Fairchild
说明
MOSFET 60V P-Channel QFET
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规格
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制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
27 A
Rds On-漏源导通电阻:
55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
25 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
3.75 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
4.83 mm
长度:
10.67 mm
系列:
FQB27P06
晶体管类型:
1 P-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
9.65 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
12.4 S
下降时间:
90 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
185 ns
工厂包装数量:
800
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
30 ns
典型接通延迟时间:
18 ns
单位重量:
2 g
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数据表
FQB27P06TM 数据表
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Images
FCB070N65S3
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PCN
General Announcement - 2D Barcoding
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Information Notification
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Information Only Notification
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ON Semiconductor MPN Label Format Change
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Process Change Notification
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Process change notification
PDF
Process change notification
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Product Change Notification
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Product Change Notification
PDF
Temporary Suspension of ISO 9001 Certification for Hitachi Chemical Co., Ltd.
链接:
Test/Quality Data
Certificate of Compliance
PDF
Material Composition Declaration
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产品合规性
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
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