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Infineon PROFET™智能高边开关置于电源和负载之间,用于控制应用。这些高度集成的高边开关具有诊断、保护等众多智能特性。PROFET 开关由一个 DMOS 功率晶体管和 CMOS 逻辑电路构成,可实现全面的内置保护,可防止过载、短路、超温、地面损耗、电源损耗、静电放电等。PROFET 系列器件还能防止动态过压、如甩负荷及电感负载关断。众多智能特性使 PROFET 高边开关成为各种汽车和工业应用的理想选择。了解更多
Infineon Technologies PROFET™+ 2保护型高侧电源开关具有先进的诊断和保护特性。PROFET+2开关采用PG-TSDSO-14裸露焊盘封装,引脚间距为0.65mm,最低RDS(ON) 为2x8mΩ。PROFET+ 2系列符合市场上最严苛的反向电池要求。首次在单芯片上使用该开关时,其ReverSave™功能可让功率晶体管在反向极性时开启。