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Infineon CoolGaN™氮化镓HEMT具有诸多优势,包括超高效率、可靠性、功率密度以及相对于硅的极高质量。CoolGaN晶体管采用极为可靠的技术,设计用于实现开关模式电源中的超高效率和功率密度。这些器件的工作方式类似于采用p-GaN栅极结构以及增强模式栅极驱动偏置的传统硅MOSFET。