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BSM100GB60DLC
制造商编号
BSM100GB60DLC
制造商
Infineon Technologies
说明
IGBT 模块 600V 100A DUAL
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规格
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属性值
搜索类似
制造商:
Infineon
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
详细信息
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
1.95 V
在25 C的连续集电极电流:
130 A
栅极—射极漏泄电流:
400 nA
Pd-功率耗散:
445 W
封装 / 箱体:
32 mm
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 125 C
封装:
Tray
高度:
30.5 mm
长度:
94 mm
技术:
Si
宽度:
34 mm
商标:
Infineon Technologies
安装风格:
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压:
20 V
产品类型:
IGBT Modules
工厂包装数量:
10
子类别:
IGBTs
零件号别名:
BSM100GB60DLCHOSA1 SP000100470 BSM100GB60DLCHOSA1
单位重量:
160 mg
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Gate Driver Selection Guide 2019
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CNHTS:
8541290000
BRHTS:
85415020
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
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描述
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